閃存技術正在經歷著高歌猛進的發(fā)展，伴隨著閃存在價格和性能方面的優(yōu)勢不斷提升，伴隨著磁盤容量提升加劇故障恢復方面的問題，可能再過幾年閃存就真的能取代磁盤了。

GigaOm分析師Enrico Signoretti談大容量磁盤

Enrico Signoretti表示，磁盤最早會從小型數據中心里消失，然后中型數據中心里也會漸漸消失，這些數據中心會用閃存和云資源，還有的企業(yè)會全部上云。

Enrico Signoretti認為，隨著磁盤容量的不斷提升，磁盤正在朝著50TB的方向前進，很明顯，大容量磁盤是為像Facebook，eBay，阿里云，AWS，Azure這樣的超大規(guī)模數據中心用戶設計的。

大容量磁盤最大的問題是數據恢復時間會特別長，容量越大恢復時間越長，14TB磁盤的故障恢復時間大約需要一個禮拜，如果是50TB呢？

新出現的磁盤技術有些需要修改應用代碼，這也是明顯的成本問題，而隨著閃存存儲的價格變化，閃存的吸引力便與日俱增。

Signoretti認為，新技術帶來的復雜性對于小企業(yè)來講特別不劃算。

比如說一個企業(yè)需要1個PB的存儲，那其實就需要20塊50TB的磁盤，如果加上奇偶校驗和備用磁盤的話，大概需要24塊，這樣一套存儲的吞吐帶寬還不錯，但是IOPS就比較慘了，更重要的是，企業(yè)還要面臨非常高的數據重建時間，還有很高的數據丟失的風險。

如果企業(yè)不需要在本地搭建一個PB級別的冷存儲，那么磁盤就徹底再見了，這些數據上云其實更劃算，當然，這些企業(yè)會轉向全閃存來計算熱的業(yè)務數據。

NAND層數提升帶來的變化

最近，西數和鎧俠公布了112層3D NAND的最新消息，同時也開始評估轉向112層的成本問題。在一封郵件中寫道，在晶元成品率穩(wěn)定后，112層NAND比現有的96層NAND的成本低30%。

Aaron Rakers表示西數和鎧俠的112層3D NAND是兩個56層3D NAND疊加起來的，而三星的128層是一個整體，西數和鎧俠的NAND存儲密度更高一些。簡單計算下能看到西數和鎧俠的密度比三星的128層NAND密度高10-15%，這將轉變?yōu)槌杀痉矫娴膬?yōu)勢。

價格上更容易被接受，閃存的性能優(yōu)勢非常有吸引力。

從壽命來看，TLC的寫入次數大約為3000，而QLC只有1000左右，從寫入延遲來看，TLC有25μs，而QLC就達到了100μs，不過，這也比磁盤快多了，磁盤的尋道時間大約為8 – 12ms。

如今不斷提升容量的磁盤都是面向nearline存儲場景的，需要的是低或者中等的寫訪問頻率。不過，當它采用了磨損均衡和OP等技術后，112層QLC NAND會比96層TLC更有競爭力。也就是說：3D NAND將對磁盤的優(yōu)勢領域形成沖擊。

Aaron Rakers認為，100層以上的3D NAND很快將成為市場主流。

Aaron Rakers還表示，不斷優(yōu)化的控制器技術和軟件將適應新NAND的特性，在未來幾年都將加速QLC的普及。

3DNAND的特性

Rakers還特別提到了下面這張3D NAND 路線圖。

3D NAND 路線圖

按照上圖所示，在2022到2023年，3D NAND將進化到200-300層，成本將進一步降低，Rakers表示一直在看單位容量SSD與磁盤的價格比，2019年Q3，企業(yè)級SSD每GB成本是nearline磁盤的八倍，而在2018年，大約是9倍到19倍的樣子。

Rakers在與一些業(yè)內人士交流中總結到，當價格為5倍的時候，企業(yè)級SSD將成為磁盤的強力替代品。同時，高容量企業(yè)級SSD的發(fā)展也將迎來拐點。

綜合許多類似的報道中我們能看到，很多專家傾向于相信，當3D NAND進化到100多層以后，企業(yè)級SSD將開始在數據中心替代nearline磁盤，如果到了200層甚至300層之后，這一趨勢將更加明顯。

超大規(guī)模數據中心將是磁盤最后的棲息地，因為超大規(guī)模數據中心的軟硬件架構可以用大容量磁盤來獲取更高的性價比優(yōu)勢，而別人不行。